2012年10月30日 19:30

インテル、20nm NAND型フラッシュを採用した「SSD 335」

インテルは、2.5インチSSDの新モデル「インテル SSD 335」シリーズを発表。ラインアップとして、240GBモデルを用意し、出荷を開始した。

業界最高水準の20nmプロセス技術で製造されたNAND型フラッシュ・メモリーを採用したモデル。20nmプロセス技術に基づく64Gb NAND 型フラッシュ・メモリーでは、業界初の平面セル構造を採用したことにより、新しいプロセス技術特有の問題を克服し、以前の25nm世代と同等の性能と信頼性を実現しているという。平面セル構造では、NAND型フラッシュ・メモリーの製造に初めてHi-K メタルゲートを採用したことで、標準的なフローティング・ゲート・セルに見られる微細化の課題を克服した。

インターフェースは、SATA 3.0(6Gbps)に対応。転送速度は、500MB/sのシーケンシャル読込み速度と、450MB/sのシーケンシャル書き込み速度を実現。4KB IOPSのランダムI/0性能では、読取性能が最大42000IOPS、書込性能が最大52000IOPSとなっている。

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